نگین معنوی زاده - آزمایشگا
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
هادی ملکی - پژوهشکده لیزر و اپتیک، سازمان انرژی اتمی
رضا افضل زاده - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

لایه های نازک نیترید سیلیکون (Si3N4) بر روی زیرلایه های مولتی کریستال سیلیکون و شیشه نازک با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی در محیط گاز آرگن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی با زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد. با تغییر توان لایه نشانی، لایه هایی با خواص نوری متفاوت بدست می آید. از آنالیز UV/VIS/IR برای بررسی خواص نوری این لایه ها استفاده شده است. لایه های نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن و با توان بین 350-100 وات لایه نشانی شده اند، درصد عبور نوری بیشتر از 92 % در توان بین 150-100 وات در طیف وسیع nm 300-1200 دارا میباشند. همچنین لایه هایی که با توان 150-100 وات لایه نشانی میشوند، دارای گاف انرژی در حدود 5eV میباشند.

پلاسمای آرگن، توان کندوپاشRF ، درصد عبور نوری، مولتی کریستال سیلیکون، نیترید سیلیکون