بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 862
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMIS01_008
تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله یک دیود نورگسیل بر پایه نیمه هادی گالیوم نیتراید ( GaN ) پیشنهاد شده است، که جهت بهبود بازدهی توان نوری خروجی در ساختار آن یک لایه منعکس کننده و دو لایه فوتونیک کریستال به کار رفته است. تغییرات انجام شده و بهینه سازی پارامترهای اساسی آنها افزایشی معادل 133 درصد در توان نوری خروجی نسبت به دیود نورگسیل معمولی را به همراه داشت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی کیان
دانشگاه گلستان،
کیازند فصیحی
دانشگاه گلستان،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :