مهندسی ساختار گیت ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند مبتنی بر گرافین
محل انتشار: کنفرانس ملی پژوهش های نوین در مهندسی برق
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 660
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EECCONF01_022
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور اثرمیدانی ماسفتی بدون پیوند مبتنی بر نانولوله کربنی ارائه شده است که در آن از 2 گیت ماده ای با توابع کار مختلف استفاده شده است. ساختار فوق اندازه گیت نزدیک سورس و درین به ترتیب ۱۴و ۶ نانومتر و توابع کار آنها برابر و ۰.۵ الکترون ولت کمتر نسبت به نانوله کربنی ذاتی انتخاب شده است. شبیه سازی در حالت بالستیک و با استفاده از روال تابع گرین غیر تعادلی NEGF) و در فضای مد انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد، ساختار پیشنهادی از رفتار Ambipolar بهتر و جریان خاموشی کمتری نسبت به یک ساختار متداول بدون پیوند و با همان ابعاد بهره می برد. همچنین در ساختار فوق اثر حامل داغ با توجه به کاهش میدان الکتریکی در سمت درین کاهش یافته و با توجه به ایجاد یک پیک در منحنی میدان الکتریکی در ناحیه اتصال دو گیت، کنترل گیت بر روی کانال افزایش خواهد یافت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم فرجی
گروه مهندسی برق ،واحد نور ،دانشگاه آزاد اسلامی ،نور ،ایران
سید صالح قریشی
گروه مهندسی برق ،واحد نور ،دانشگاه آزاد اسلامی ، نور ،ایران
رضا یوسفی
گروه مهندسی برق ،واحد نور ،دانشگاه آزاد اسلامی ،نور ،ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :