آنالیز و شبیه سازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,758

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE10_001

تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390

چکیده مقاله:

دراین مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن بالیستیک CNTFET) که دارای کانال بسیار کوچک سطح تماس فلزی با سد پتانسیل کم و نارسانای گیت باریک با ثابت دی الکتریک بزرگ است با استفاده از شبیه سازی کوانتومی خودسازگار تحلیل شده است برای درک فیزیکی و پیش بینی بهینهس ازی در طراحی، یک شبیه سزای عددی که معادله انتقال کوانتومی را بصورت خودسازگارانه با معادله پواسون سه بعدی با استفاده از تابع گرین ناترازمند حل می کند به کاررفته است نتایج مهمی که دراین مقاله مورد بحث قرار میگیرند عبارتنداز : تا چه اندازه ترانزیستور نزدیک محدوده بالیستیک عمل می کند نقش پراکندگی فونونی و زیرلایه های بالاتر چیست؟ چگونه می توان CNTFET) را بهینه تر ساخت

نویسندگان

زهرا عارفی نیا

گروه مهندسی برق دانشکده مهندسی دانشگاه سمنان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S.J. Tans , A .Verschueren, and C. Dekker, ، "Room- ...
  • R. Martel , T. Schmidt, H. Shea, et al., carbon ...
  • A. Javey , J. Guo, D.B. Farmer, Q. Wang, E. ...
  • parallel nanotube arrays, " Nano. Lett., Vol. 4, pp. 1319-1322, ...
  • G. Fiori, G. Iannaccone, G. Klimeck, " A Three -Dimensiont ...
  • S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. P. ...
  • Avouris, "Carbon nanotubes as Schottky barrier transistors, " Physical Review ...
  • M. Radosavljevic, S. Heinze, J. Tersoff, and Ph. Avouris "Drain ...
  • A. Javey, J. Guo, Q. Wang, M. Lundstrom, and H. ...
  • transistors, " Nature, vol. 424, pp. 654- 657, 2003. ...
  • J. Guo, S. Datta, and M. Lundstrom, _ numerical study ...
  • Electron Devices, vol. 51, pp. 172-177, 204. ...
  • Z. Yao , C. Dekker, and P. Avouris, "Electrical transport ...
  • Nanotubes, vol. 80, pp. 147-171, 2001. ...
  • M. Radosavljevic, S. Heinze, J. Tersoff, and P. Avouris, "Drain ...
  • A. Javey, J. Guo, D. B. Farmer, Q. Wang, D. ...
  • S. Datta, "Nanoscale device modeling: method, " ...
  • Superlattices and Micros tructures, vol. 28, pp. 253-278, 2000. ...