بررسی تاثیر تغییرات دما و ضخامت عایق گیت درنسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 752

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

RDERI02_002

تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1394

چکیده مقاله:

دراین مقاله ابتدا به بررسی نانولوله های کربنی بااتصالات شاتکی سورس و درین خواهیم پرداخت و شبیه سازی ها به مدلی که اتصال فلز به نانولوله نیمه هادی می باشد محدود خواهد شد درشبیه سازی ها ابتدا نمودار ولتاژ گیت - جریان درین نسبت به تغییرات دما بررسی خواهد شد و همچنین نسبت جریان روشن به خاموش مدل ارایه شده نیز نسبت به تغییرات دما بررسی خواهد شدوسپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش باتوجه به تغییر ضخامت عایق گیت بررسی خواهد شد و باتوجه به نتایج مشخص خواهد شد که باکاهش دما این نسبت کاهش خواهد داشت همچنین با کاهش ضخامت عایق گیت نسبت جریان روشن به خاموش بهبود خواهد یافت

نویسندگان

امین قاسمی نژادرائینی

مجتمع معدنی و صنعتی گل گهرسیرجان سیرجان ایران

مهران ابدالی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق الکترونیک سیرجان ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • زهرا عارفی نیا، علی اصغر اروجی، 1389. " یافته های ...
  • Chiyui Ahn and Mincheol Shin., 2007. "Quantum Simulation of Coaxially ...
  • Chiyui Ahn., 2007. "Quantum Simulation of carbon nanotube field-effect transistor", ...
  • Shaahin G. Shirazi., Sattar Mirzakuchaki., 2013. "High on/off curret ratio ...
  • Kajari R. Agrawal.. Shilpa M. Kottilingel., Reena Sonkusare., Dr. S. ...
  • Y. M. Lin., J. Appenzeller., J. Knoch., P. Avouris., 2005. ...
  • نمایش کامل مراجع