طراحی تقویت کننده توزیع شده با فناوری CMOS 90 nm
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 853
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECONFK02_079
تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1395
چکیده مقاله:
تقویت کننده های پهن باند، یکی ازبلوک های مهم فرستنده ها، گیرنده ها و عضو اصلی ارتباطات بیسیم می باشند. تقویت کننده ای توزیعی راه حلی مؤثر برای افزایش پهنای باند ارائه داده اند، از این رو در طراحی سیستم هایی با پهنای باند فوق العاده بالا به طور گسترده استفاده می شوند. برای طراحی مدار پیشنهادی ابتدا یک ساختار متداول تقویت کننده توزیع سورس مشترک انتخاب شده، که پاسخ فرکانسی نسبتاً خوبی دارد ولی با توجه به نتایج سایر مراجع، مطلوب نمی باشد. بنابراین برای بدست آوردن بهره ای مطلوب در کنار پهنای باند وسیع از تکنیک کسکود استفاده کرده، که با توجه به شرایط کسکود کردن علی رغم افزایش مقاومت خروجی، به پاسخ فرکانسی بهتری نسبت به سورس مشترک رسیده ایم. حال چالشی که با آن رو به رو بودیم کاهش پهنای باند بود، برای جبران اثرات خازن پارازیتی از یک سلف در گیت ترانزیستورهای گیت مشترک در طبقه کسکود استفاده نموده. سلف متصل شده به گیت، با ایجاد یک صفر در پاسخ فرکانسی، قطبی که منجر به افت مقدار بهره در فرکانس های بالا می شود را حذف کرده و باعث افزایش پهنای باند کاری مدار شده است. نتایج شبیه سازی ها بهبود و برتری روش پیشنهادی را نشان می دهد که بهره تقویت کننده توزیع شده پیشنهادی 21dB± 2.5dB، پهنای باند 23GHz، ضریب انعکاس ورودی و خروجی 0.6dB- و عدد نویز 0.81dB می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شایان مهیمی
گروه مهندسی برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران
پویا درخشان برجوئی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی، واحد نایین
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :