تقویت کننده کم نویز پهن باند با استفاده از جبران سازها و بهبود پارامتر های پراکندگی عدد نویز

هدف از این مقاله، طراحی مدار تقویت کننده کم نویز در فرکانس های بالا (فرکانس رادیویی) با استفاده از فناوری 0.18 µm CMOS برای کاربردهای مخابراتی است که نویز فیگر ، توان مصرفی ، پهنای باند و حداقل فضای ممکن بر روی تراشه بیان شده است. با بهره گیری از تکنیک پیشنهادی، پهنای باند و عدد نویز بهبود یافته است. سعی شده است که پهنای باند به بیش از 1.5 GHz و عدد نویز به کمتر از dB 2 برسد. طراحی و تحلیل مدار تقویت کننده کم نویز با استفاده از ساختار مناسب به منظور دستیابی به نویز فیگر پایین، مصرف توان کم و اشغال حداقل فضای ممکن بر روی تراشه، مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین استفاده از جبران سازهای فرکانسی برای کاهش نویز، افزایش توان خروجی و افزایش گین گیرنده در فرکانس های بالا، از نوآوری های این مقاله است

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، پهنای باند وسیع ، ترانزیستور های mosfet