شبیه سازی مصرف توان در رگولاتور افت ولتاژ کم ( Dropout) در تکنولوژی 90nm

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 616

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICELE01_468

تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395

چکیده مقاله:

یک مدل طراحی رگولاتور ، با استفاده از تکنیک بایاس دینامیکی مورد بررسی و شبیه سازی قرار می گیرد . مدار افزایش جریان بایاس دینامیکی ، شامل سه قسمت آشکارساز ، تقویت کننده و مدار افزایش بایاس خواهد بود. رگولاتور فوق با استفاده از پروسه CMOS 90 nm، ارائه می شود ونتایج بدست آمده با دیگر فناوری های موجود مورد بررسی قرار می گیرد. کارکرد دیاگرام بدین صورت در نظر گرفته خواهد شد ، به محض اینکه کوچکترین تغییری در ولتاژ خروجی مشاهده گردد ، این تغییرات از طریق گره های Vn و Vp ، به مدار آشکارساز منتقل خواهد شد . مدار آشکارساز این تغییرات را حس می کند و با توجه به نوع آشکارسازی ، خروجی خودش را در وضعیت ولتاژ تغذیه یا زمین نگه می دارد و آن را به ورودی مدار تقویت کننده منتقل خواهد کرد . مدار تقویت کننده ، بصورت یک معکوس کننده عمل خواهد کرد و خروجی آشکارساز را بصورت معکوس در خروجی خودش ظاهر می کند . خروجی مدار تقویت کننده ، به ورودی مدار افزایش بایاس منتقل می شود ، این مدار با افزایش جریان در یک لحظه کوتاه ، باعث افزایش جریان رگولاتور شده و تغییرات ولتاژ خروجی رگولاتور را ، به حالت نرمال بر می گرداند . در رگولاتور مورد بحث ، توان مصرفی را ، با استفاده از روش جریان بایاس دینامیکی تا.5mw کاهش دادیم و تا اندازه ای ، پاسخ گذرای خط و بار را بهبود بخشیدیم تکنیک افزایش جریان بایاس دینامیکی در طراحی LDO ،به طور موثر پاسخ انتقال خطی و بار را بهبود می بخشد و باعث می شود ، یک ولتاژ دقیق و موثر در خروجی رگولاتور ، بوجود بیاید و در کاربردهای قابل حمل ، که احتیاج به یک تغذیه دقیق و بدون نویز دارند ، بسیار موثر خواهد بود .

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مجتبی منوچهری

کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

فرزین امامی

عضو هیات علمی گروه مهندسی برق دانشگاه صنعتی شیراز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • I11] سلیمانی، م، قطعات نیمه هادی و کاربردهای آنها، پژوهشکده ...
  • رضوی، بهزاد، 1384. میکروالکترونیک ...
  • رضوی، بهزاد، 1382، طراحی مدارهای CMOSمجتمع آنالوگ، نص. ...
  • لیائو، ساموئل _ 1379، تحلیل مداری و طراحی تقویت کننده ...
  • G. A. Rincon-Mora and P. E. Allen, _ low-voltage, low ...
  • G. A. Rincon-Mora and P. E. Allen, :Optimized frequency- shaping ...
  • K. N. Leung and P. K. T. Mok, _ capacitor-free ...
  • D. Finan, and S. Borkar, [8] P. Hazucha, T. Karnik, ...
  • P. Y. Or and K. N. Leung, _ output- capacitor ...
  • E. N. Y. Ho and P. K. T. M ok, ...
  • Shen-Yu Peng ; Tzu-Chi Huang ;YuHuei Lee ; Chao-Chang Chiu ...
  • Chenchang Zhan ; Wing-Hung Ki; An O utp ut-capacitor- free ...
  • Gangopadhy ay, S. ; Youngtak Lee ; bin Nasir, S. ...
  • Modeling and analysis of digital linear dropout regulators with adaptive ...
  • نمایش کامل مراجع