مطالعه جذب سطحی گاز آنیلین توسط نانوکیج Zn12O12 با استفاده از نظریه DFD

حساسیت الکتریکی نانوکیج ZnO نسبت به مولکول آنیلین N7H6C با استفاده از نظریه تابعی چگالی DFT در سطح B3LYP/6-31G(d) مورد آزمایش قرار گرفت و مشخص شد که انرژی جذب Ead آنیلین بر روی نانوکیج خالص در حدود 1.92Kcal.mol-1- است هنگامی که نانوکیج با اتم های N،BوS دوپه می شود انرزی جذب به طور کلی کاهش می یابد اما هنگامی که اتم Zn نانوکیج با اتم N دوپه می شود انرزی جذب در حدود Kcal.mol-1 -10.02 است پس به نظر می رسد که نانوکیج ناخالص ZnO(Zn/N) ، جاذب خوبی برای آنیلین است هنگامی که اتم Zn نانوکیج با اتم های N.BوSدوپه می شود Eg به طور قابل توجهی کاهش می یابد بهترین نتیجه درباره ZnO(Zn/S) بدست آمد که انرژی گپ آن در حدود 1.67 eV است به نظر می رسد که نانوکیج ZnO پس از دوپه شدن اتم Znبا اتم های N،BوSنیمه رسانای مناسبی است نانوکیج ZnO یک جاذب مناسب برای آنیلین است و می تواند در فرایند جداسازی آنیلین مورد استفاده قرار بگیرد ZnO خالص در حضور آنیلین یک سیگنال الکتریکی است که به طور مستقیم تولید می شود بنابراین می تواند به طور بالقوه برای حسگرهای آنیلین استفاده شود

کلیدواژه ها:

نانوکیج ، DFT ، آنیلین ، 12O12ZN