بررسی ساختارهای مختلف LNA در فناوری CMOS برای استفاده در سیستم های چند باندی Multi-Band

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,423

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE11_198

تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386

چکیده مقاله:

در این مقاله توپولوژی های مختلف LNA در فناوری CMOS که در استانداردهای بی سیم چند باندی Multi-Band مورد استفاده قرار می گیرند، و همچنین ساختارهای ارائه شده در مجلات و کنفرانس های اخیر، به طور کامل بررسی شده اند. ساختارهای موجود مورد مقایسه قرار گرفتند و در هر مورد نقاط ضعف و قوت با تاکید بر قابلیت مجتمع سازی و درجه آزادی در طراحی بیان شده است و در نهایت مناسب ترین توپولوژی برای استفاده در سیستم های Multi-Band پیشنهاد شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز (LNA) ، چند باندی (Multiband) ، مدار مجتمع CMOS ، نویز - فیگر (NF)

نویسندگان

عباس بایرام نژاد

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرطوسی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A. Bevilacqua and A. Niknejad, ، An ultra- wideband CMOS ...
  • Adiseno, Hakan Magnusson, and Hakan Olsson, _ 1.8-v Wide-B and ...
  • X. Fan, H. Zhang and E. S an chez-Sinencio _ ...
  • B. Leung, VLSI for WIRELESS COMM UNICA TION, Upper Saddle ...
  • C. Wang et al., _ multi-band multi- standard RF frontend ...
  • C. Garuda and M. Ismail, ،0A multi-band CMOS RF front-end ...
  • X A. Liscidini, M. Brandolini, D. Sanzogni, and R. Castello, ...
  • X. Guan, and A. Hajimiri, _ 24-GHz CMOS front-end, ' ...
  • J. Jussila, and P. Sivonen, 4A 1.2-V Highly Linear Balanced ...
  • H. Hashemi and A. Hajimiri, 44Concurrent multiband low-noise amp li ...
  • نمایش کامل مراجع