بررسی رفتار و مدلسازی یک ترانزیستور نوری دو قطبی نامتجانس
محل انتشار: نهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 4,333
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE09_096
تاریخ نمایه سازی: 13 اسفند 1386
چکیده مقاله:
ترانزیستور های نوری برای استفاده در دریافت کننده های مدار مجتمع نوری استفاده می شوند. در این تحقیق، آنالیز رفتار نویز در یک ترانزیستور دو قطبی نامتجانس که بصورت آشکار ساز نوری سه پایه بکار می رود، ارائه میگردد. در اینکار، نسبت سیگنال به نویز در خروجی و نویز ها و پارامترهای اصلی مورد بررسی قرار می گیرند. این مدل برای مشخصه Inp/InpGaAs که به صورت آشکارساز نوری در ناحیه طول موج 1.55 میکرومتر بهکار می رود استفاده می شود.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور دو قطبی نامتجانس (HBT) ، دیودهای نوری بهمنی (APD)
نویسندگان
عباس قدیمی
دانشجوی دکترا دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم، تحقیقات و فناوری
پانته آ پرور
کارشناس الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
مریم پورابراهیمی
کارشناس الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
نفیسه واله صابر
کارشناس الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :