طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 12-8 گیگاهرتز باند X
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 751
فایل این مقاله در 17 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEASCONF01_359
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
تقویت کننده ها از اصلی ترین قسمتهای سیستمهای میکروویو و RF میباشند که رفتار آنها روی رفتار کلی سیستم به شدت تأثیر دارد. تقویت کننده ها خود به دسته های مختلفی تقسیم میشوند که تقویت کننده های توان از مهمترین این دسته ها میباشد . وظیفه تقویت کننده های توان بالا بردن سطح توان سیگنال برای انتقال توسط آنتن میباشد که معمولاً بهعنوان آخرین طبقه در سیستم فرستنده قرار میگیرد و بعدازآن آنتن به طور مستقیم یا توسط سویچ یا دپلکسر سیستم فرستنده/ گیرنده قرار میگیرد. مدار در تکنولوژی 0.18um منطق CMOS با استفاده از نرم افزار ADS صورت پذیرفت. شبیه سازی در باند X صورت گرفته و علاوه بر پارامترهای خطی ترانزیستور، پارامترهای غیر خطی ترانزیستور نیز بررسی گشته از اینرو علاوه بر پارامترهای S پارامترهای X ترانزیستور که مبنای انجام این تحقیق بوده است، نیز شبیه سازی شدهاست. نتایج حاصله از مدار در فرکانس GHz 10 شامل ولتاژ خروجی 2.8v توان خروجی dBm 18.55 بهره 8.275 PAW برابر 63.249 می باشد.
کلیدواژه ها:
باند X تقویت کننده کلاس E ، پارامترها S پارامترهای X
نویسندگان
رامک قلعه نویی
دانشکده فنی و مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی اراک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :