مروری بر روش های ایجاد گاف انرژی در گرافن

گرافین یک بلور دوبعدی از اتمهای کربن است که در آن اتمهای کربن با اربیتالهای پیوندی SP یک چیدمان شش ضلعی را تشکیل داده اند ازاین رو گاف انرژی بین نوارهای انرژی هدایت و ظرفیت وجود ندارد عدم وجود گا در ساختار نوارهای انرژی باعث می شود الکترونها مانند فرمیونها، بدون جرم نسییتی رفتارکنند در چنین سیستمی امکان کنترل هدایت توسط اعمال ولتاژ گیت خارجی وجود دارد اما امکان قطع هدایت وجود ندارد بطور کلی مینای بیشتر کاربردهایالکترونیکی، وجود گا انرژی بین نوارهای هدایت و ظرفیت می باشد در نتیجه نمی توان از این ماده بطور مستقیم در طراحی ادوات کلیدزنی استفاده کرد بنابراینوجودیک شکا انرژی درگرافن ها،یکامرحیاتی بهحساب میآید،تاآنجاکه در کاربردهاینانوالکترونیک،نظیرترانزیستورهای نانوالکترونیکی نیازبه ایجادشکاف انرژی درگرافناست لذا در این مقاله مروری، سهروش اتصال محکم درگرافن الگوسازی شده،روش کاهش عرض نانوروبان گرافندی و روش مهندسی سرعت فرمی برای ایجاد شکا انرژی در گرافن را معرفی کرده و سپس به بررسی و تجزیه و تحلیل هرروش ازآنها میپردازیم نشان می دهیم که چگونه می توان با این روش ها،در گرافنی که فاقدشکا انرژی است ، شکا ایجاد کنیم

کلیدواژه ها:

شکا انرزی ، نانوروبان گرافنی ، مدولاسیون سرعت فرمی ، نقطه دیراک