مدل دو بعدی نانو ترانزیستورهای دو گیتی بدون اتصال در حضور حاملهای داغ

در این مقاله ابتدا یک مدل پتانسیل دو بعدی برای تانزیستورهای بدون اتصال دو گیتی در حضور بارهای به دام افتاده پیشنهاد شده است. مدل به دست آمده بر پایه تلفیق روش مد ناپایدار و تقریب سهمی می باشد. براین اساس پتانسیل به صورت مجموع مولفه یک بعدی پتانسیل کانال بلند و مولفه دو بعدی کانال کوتاه به دست می آید. در قطعات با طول کانال کوتاه، در بخشی از کانال بارهای به دام افتاده در سطح واسط نیمه هادی و اکسید گیت در نظر گرفته می شود. این بارها بر روی مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر می گذراند. با استفاده از مدل پتانسیل به دست آمده در حضور بارهای به دام افتاده، اثرات کانال کوتاه مانند تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل القایی درین و شیب زیر آستانه بررسی و برای آنها روابطی تحلیلی ارائه می شود. برای تایید دقت مدل تحلیلی، نتایج مدل پیشنهادی با نتایج حاصل از شبیه ساز قطعه ATLAS مقایسه می شود.

کلیدواژه ها:

اثرات کانال کوتاه ، حاملهای داغ ، ترانزیستور دو گیتی بدون اتصال ، معادله پواسون دو بعدی