طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ ولتاژCMOS در تکنولوژی 180nm با توان و ولتاژ مصرفی پایین و فرکانس بالا با کاربرد دوبرابرکننده فرکانسی
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ ولتاژCMOS در تکنولوژی 180nm با توان و ولتاژ مصرفی پایین و فرکانس بالا با کاربرد دوبرابرکننده فرکانسی
کلیدواژه های طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ ولتاژCMOS در تکنولوژی 180nm با توان و ولتاژ مصرفی پایین و فرکانس بالا با کاربرد دوبرابرکننده فرکانسی:
نویسندگان مقاله طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ ولتاژCMOS در تکنولوژی 180nm با توان و ولتاژ مصرفی پایین و فرکانس بالا با کاربرد دوبرابرکننده فرکانسی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان، گروه مهندسی برق ، سیرجان، ایران
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد انار
مراجع و منابع این مقاله: