طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ ولتاژCMOS در تکنولوژی 180nm با توان و ولتاژ مصرفی پایین و فرکانس بالا با کاربرد دوبرابرکننده فرکانسی
محل انتشار: هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 476
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_193
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله:
یک ضرب کننده آنالوگ ولتاژ CMOS با توان و ولتاژ مصرفی پایین در این مقاله ارائه شده است که می تواند در فرکانس های بالا استفاده شود. مدار با استفاده از نرم افزار Hspice شبیه سازی شده و با ولتاژ تغذیه 1.3V ولت و توان مصرفی 50µw کار می کند . فرکانس قطع بزرگ تر از 1GHZ بدست آمده است. همچنین مدار دارای پارامتر اعوجاج هارمونیک کلی (THD) حدود 1.5% و ماکزیمم اعوجاج 14.85dB می باشد. ضرب کننده پیشنهادی قابلیت عملکرد بعنوان دو برابرکننده فرکانس را نیز دارد.
کلیدواژه ها:
توان و ولتاژ مصرفی پایین ، دو برابر کننده فرکانس ، ضرب کننده آنالوگ ولتاژ
نویسندگان
محمد ستوده نیا کرانی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان، گروه مهندسی برق ، سیرجان، ایران
حلیمه نورمحمدی قاسم آبادی
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد انار
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :