سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCK در مدارات VLSI

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 948

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMPUTER02_009

تاریخ نمایه سازی: 2 تیر 1395

چکیده مقاله کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCK در مدارات VLSI

با ورود چرخه ساخت تراشه های مدار مجتمع به دوره طراحی زیرمیکرون، تأثیر اثرات الکتریکی نظیر نویز هم شنوایی و مهاجرت الکترون در کارایی سیستم های الکتریکی بسیار زیاد شده است. نویز هم شنوایی به عنوان یکی از مهمترین مسائل در طراحی های 0/18 میکرون با پایین تر از آن به شمار رفته و می تواند باعث تغییر در تأخیر سیگنال ها و مقدار منطقی یک سیگنال شده و به سوء عملکرد مدار منجر گردد. در این مقاله به معرفی برخی از راه های کاهش هم شنوایی در شبکه های RLCK در مدارات VLSI پرداخته و در ادامه بر اساس شبیه سازی مدار RLCK و استفاده از ترانزیستور ماسفت بین دو اتصال با استفاده از HSPICE نشان دهیم که هم شنوایی کاهش می یابد که در نهایت موجب افزایش کیفیت عملکرد مدار می گردد.

کلیدواژه های کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCK در مدارات VLSI:

نویسندگان مقاله کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCK در مدارات VLSI

الهه شعله ور شکوه

دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافت

بهنام قوامی

دکتری، دانشگاه شهید باهنرکرهاى

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
]1[نعمتی. عباس، "روش کاهش همشنوایی درمدارهای دیجیتال با فرکانس بالا"، ... [مقاله کنفرانسی]
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCK در مدارات VLSI" توسط الهه شعله ور شکوه، دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافت؛ بهنام قوامی، دکتری، دانشگاه شهید باهنرکرهاى نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی مهندسی کامپیوتر و پژوهشهای نیاز محور آخرین دستاوردهای در فناوری اطلاعات پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله کوپلینگ، نویس هن شنوایی، ترانسیستور هاسفت، شبکه RLCK هستند. این مقاله در تاریخ 2 تیر 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 948 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که با ورود چرخه ساخت تراشه های مدار مجتمع به دوره طراحی زیرمیکرون، تأثیر اثرات الکتریکی نظیر نویز هم شنوایی و مهاجرت الکترون در کارایی سیستم های الکتریکی بسیار زیاد شده است. نویز هم شنوایی به عنوان یکی از مهمترین مسائل در طراحی های 0/18 میکرون با پایین تر از آن به شمار رفته و می تواند باعث تغییر در تأخیر ... . برای دانلود فایل کامل مقاله کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCK در مدارات VLSI با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.