روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 742
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RDERI03_001
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
چکیده مقاله:
مقاله به شناخت پدیدهی خودتحریکی و چسبیدگی کلید RF MEMS مبتنی بر تکنولوژی III-V بهنگام اعمال امواج مختلف پرداخته است. این کلیدها دارای پد تحریک پذیر TaN و لایه ی تحریک 2TaO5 میباشند، که این مواد جایگزین مناسبی برای سیلیکون هستند، همچنین به شناخت خواص عناصر دیالکتریک و پد تحریک پرداخته شده است. این عملیات با اعمال امواج تک قطبی و دوقطبی در پریودهای متفاوت صورت پذیرفته است. سپس روشی پیشنهاد میکنیم که اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V را حذف میکند. نتایج شبیهسازی بیانگر بهبود پارامترهای کلید و افزایش میزان اطمینان پذیری آن است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد سنگ ساز بدر
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :