روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 742

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

RDERI03_001

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

مقاله به شناخت پدیدهی خودتحریکی و چسبیدگی کلید RF MEMS مبتنی بر تکنولوژی III-V بهنگام اعمال امواج مختلف پرداخته است. این کلیدها دارای پد تحریک پذیر TaN و لایه ی تحریک 2TaO5 میباشند، که این مواد جایگزین مناسبی برای سیلیکون هستند، همچنین به شناخت خواص عناصر دیالکتریک و پد تحریک پرداخته شده است. این عملیات با اعمال امواج تک قطبی و دوقطبی در پریودهای متفاوت صورت پذیرفته است. سپس روشی پیشنهاد میکنیم که اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V را حذف میکند. نتایج شبیهسازی بیانگر بهبود پارامترهای کلید و افزایش میزان اطمینان پذیری آن است.

نویسندگان

محمد سنگ ساز بدر

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ G.M. Rebeiz, G.-L. Tan, and J.S. Hayden "RF MEMS ...
  • L. Zhou, "RF MEMS Contact Switches for Reconfigurable Antennas", Degree ...
  • V.K. Varadan, K. Vinoy, and K.A. Jose, "RF MEMS and ...
  • J. Wibbeler, G. Pfeifer, and M. Hietschold, "Parasitic charging of ...
  • C.S. Kang, H.-J. Cho, Y.H. Kim, R. Choi, K. Onishi, ...
  • S. Melle, D. De Conto, D. Dubuc, K. Grenier, O. ...
  • 7-G. S. Oehrlein, "Oxidation temperature dependence of the dc electrical ...
  • 8-J.B. Muldavin "Design and analysis of series & shunt MEMS ...
  • 9-G. Rebeiz, RF MEMS Theory, Design and technology. New jersey, ...
  • J. C. M. Hwang, "Reliability of electrostatica Iy actuated RF ...
  • 11-D. Mardivirin, A. Pothier, A. Crunteanu, B. Vialler and P.Blondy ...
  • 12-M. Lamhamdi, J. Guastavino, L. Boudou, Y. Segui, P. Pons, ...
  • 13-G. Bartolucci, R. Marcelli, S. Catoni, B. Margesin, F. Giacomozzi, ...
  • 14-R. Marcelli, G. Papaioannu, S. Catoni, G. De Angelis, A. ...
  • نمایش کامل مراجع