بررسی تاثیر میدان مغناطیسی و فشار بر عملکرد غشاء پلی اتر سولفون/پلی اتیلنامین
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 497
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCTCC04_191
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
چکیده مقاله:
غشاء مرکب پلی اتر سولفون/ پلی اتیلن امین به روش ریخته گری تهیه و بهینه سازی شد. اضافه شدن پلی اتیلن امین که یک پلیمر آبدوست است به ساختار غشاء پلی اتر سولفون باعث کاهش زاویه تماس و مقاومت کششی و افزایش قطر حفرات غشاء شد. اثرات میدان مغناطیسی در دو سطح 5000 و 10000گوس، دما در دو سطح 20 و 40 درجه سانتی گراد و فشار در دو سطح 5 و 10 بار بر عملکرد غشاء در حذف COD ، مورد بررسی قرار گرفت. داده ها به صورت کاملا تصادفی در سه تکرار با استفاده از نرم افزار آماری Design Expert نسخه 6.0.2 آنالیز شدند. نتایج نشان داد که افزایش قدرت میدان مغناطیسی و دما باعث افزایش حذفCOD کاهش غلظت تراوه افزایش فشار باعث کاهش حذفCOD افزایش غلظت تراوه گردید
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اسد حاتمی
دانشجوی ارشد مهندسی شیمی، دانشگاه آزاد، واحد شاهرود
سوسن خسرویار
استادیار مهندسی شیمی، دانشگاه آزاد، واحد قوچان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :