ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

طراحی جدید سلول حافظه سه سطحی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

محل انتشار: هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,039

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/459577

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE07_593

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ساختار جدید سلول حافظه سه سطحی با استفاده از معکوس کننده های استاندارد و همچنین گیت های انتقالی سه0 ولت / سطحی مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ولتاژ تغذیه 90ولت پیشنهاد گردیده است. نتایج شبیه / 0و 555 / و با ولتاژ آستانه 392سازی این ساختار با نرم افزار HSPICE در تکنولوژی 23 نانومتر و مقایسه عملکرد آن با همتایان، بیانگر کارایی بالای این سلول علی الخصوص ازلحاظ کاهش مصرف توان و افزایش سرعت می باشد.

کلیدواژه ها:

نانولوله کربنی ، ترانزیستور نانو لوله کربنی ، منطق سه سطحی ، سلول حافظه

نویسندگان

روح الله روحانی فر

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس،

سید علی حسینی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره)تهران،

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Lin.S, Kim.B, and Lombardi.F, "The CNTFET -based design of ternary ...
  • Wu. X, "CMOS Ternary Logic Circuits", IEEE Proceedings, vol.137, No.1, ...
  • Seevinck.E., List.F, and Lohstroh.J, "Static-noise margin analysis of MOS SRAM ...
  • J. Deng et al., "Carbon Nanotube Transistor Performance ...
  • Benchmarking and Design Options for Living with Imperfections, " in ...
  • J. Zhang, N. Patil, A. Hazeghi, S. Mitra, :Carbon Nanotube ...
  • N. Patil, J. Deng, H.P. Wong, and S. Mitra, ":Automated ...
  • Stanford University CNFET Model website [Online] .Available: ...
  • Hashemipour, O.: "On the design of new low-power CMOS standard ...
  • K. You and K. Nepal, "Design of a ternary static ...
  • N. Zaidi and H. Said, "Why CMOS END?, " Computer ...
  • L.McEuen, "single-wall carbon nanotube", physics world journal, pp. 36-31june 2000 ...
  • , Navi, K. , Hashemipour, O., "A universal method for ...
  • Sheng Lin, Yong-Bin Kim and Fabrizio Lombardi, "Design of a ...
    • نمایش کامل مراجع