افزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند در تکنولوژی 13. میکرومتر CMOS
محل انتشار: هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 707
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE07_162
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله، مدار تقویت کننده ی کم نویز (LNA) دارای دو طبقه در بازه ی فرکانسی پهن باند (10/6-3/1 GHz) ارائه و توسط نرم افزار ADS شبیه سازی شده است . در این تقویت کننده برای رسیدن به بهره بالا و نویز کم در طبقه اول از روش استفاده مجدد جریان با فیدبک مقاومتی و در طبقه دوم برای به دست آوردن بهرهی تخت و پهنای باند زیاد از مدار سورس مشترک استفاده شده است. نتایج طراحی و شبیه سازی بهره ای درحدود dB 19±3 زمانی که تلفات بازگشتی در پورت ورودی (S11) وخروجی (S22) زیر 10dB و ایزولاسیون معکوس (S21) کمتر از 34dB را نشان می دهد. عدد نویز مدار پیشنهادی بین 2dB و 2/6dB در پهنای باند مورد نظر است. مدار ارائه شده پایدار، خطی و با توان مصرفی پایین می باشد که نسبت به کارهای انجام شده دراین زمینه عملکرد بسیار مطلوبی دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید خدابخشی
دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی وفناوری پیشرفته کرمان
محمدحسین استوارزاده
دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی وفناوری پیشرفته کرمان
احمد حکیمی
دانشگاه شهید باهنر کرمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :