طراحی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره بالا و توان مصرفی کم

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 751

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCAEC01_020

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

این مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده فوق پهن باند با توان مصرفی کم و بهره بالا در باند فرکانسی GHz6 و 10-1 و 3 که با تکنولوژی TSMC0.18μm شبیه سازی شده را شرح می دهد. با استفاده از تکنیک حذف نویز راهکار جدیدی برای افزایش بهره مدار ارائه می دهد. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره 14،3dB تطبیق امپدانس ورودی کمتر از -10dB مینیمم عدد نویز 3،5dB را نشان می دهد.تقویت کننده کم نویز پیشنهادی 10،7mw توان به ازای منبع تغذیه 1،5v مصرف میکند.

نویسندگان

میثم عظیمی روئین

دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات خراسان شمالی

عباس گلمکانی

استادیار دانشگاه صنعتی سجاد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Y.Lu, K. S _ Yeo, A. Cabuk, J.Ma, M .A.Do ...
  • proposal, IEEE _ 1 5-03/267r5 jul, 2003. ...
  • K, -H Chen and S.-I Liu, "Inductor Less Wideband CMOS ...
  • F.Zhang, P.R.Kinget. "ow-powe programmable gain CMOS distributed _ Journal of ...
  • M.T.Reiha and J.R.Long, "8 1.2V reactive-feedback 3.1- 10.6GHz low noise ...
  • Yi-Jing Lin, S .S .H, Hsu, Jun-De Jin, C.Y. " ...
  • K .-H Chen , J.-HH Lu, B.-J Chen and S.-I.Liu, ...
  • IEEETrans _ Circuits S ys t.I, Exp.Briefs , vol. 54, ...
  • Transactions On Microwave vol.58 .No. 8, pp .2077-2083, 20 10 ...
  • circuits , vol.42, no.4, pp .935-948 , Apr2007. ...
  • Techniques , vol. 5 8.pp287-296, 20 10 ...
  • Guo-Ming Sung, Chia-Yu Hsu, Chiu-Lung Shen, " A3.1-10.6 GH frequency ...
  • نمایش کامل مراجع