بررسی اثر نانو گوه های نقره بر جذب نوری در سلولهای خورشیدی پلاسمونیکی فوق نازک

در این کار ارتقاء جذب نوری سلول های خورشیدی فوق نازک سیلیکونی ، با حضور نانو گره های نقره ، در قطبش های TE و TM در بازده طول موجی 400 تا 800 نانو متر به روش المان متناهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که در قطبش TM دو سازوکار برانگیختگی مود پلاسمون سطحی جایگزیده و مود جبری در ارتقاء جذب نقش دارند. مودهای پلاسمونیکی به دلیل برانگیختگی در بازه طیفی گسترده تر ، تاثیر بیشتری بر ارتقاء جذب نوری دارند. در قطبش TM تنها سازوکار ارتقاء جذب نوری ، برانگیختگی مود جبری لایه نازک می باشد.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی ، فوتوولتانیک ، پلاسمونیک ، پلاسمون سطحی جایگزیده