ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

A Novel Soft Error Hardened 14T SRAM Cell

سال انتشار: 1394
کد COI مقاله: COMCONF01_594
زبان مقاله: انگلیسیمشاهد این مقاله: 592
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 9 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله A Novel Soft Error Hardened 14T SRAM Cell

LEILA MORAD - Technical Engineering Department, University of Mohaghegh Ardabili, Ardabil, Iran
JAVAD JAVIDAN - Technical Engineering Department, University of Mohaghegh Ardabili, Ardabil, Iran
GHOLAMREZA ZARE FATIN - Technical Engineering Department, University of Mohaghegh Ardabili, Ardabil, Iran
EHSAN MORAD - Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University,Sience and Research, Tehran Branch, Tehran, Iran

چکیده مقاله:

Technology scaling has brought forth major issues related to process variation such as circuit stability and reliability degradation, which are especially problematic for the Static Random Access Memories (SRAM). As we know SRAM occupies the majority of the die area in system-on-chips and microprocessors. Because of Low operating voltage, small node capacitance, high packing density, and lack of error masking mechanisms memories are more vulnerable to soft error.This paper propose a new hardening design for an 14 transistors (14T) cmos memory cell at 32nm feature size.the proposed hardened memory cell overcome the circuit stability problem of previous design by utilizing separate bit lines for read and write operation. The simulation results show that the 14T cell has better stability and lower power consumption in compare to recent reported designs. In addition the proposed cell exhibits 36% larger critical charge than the conventional design

کلیدواژه ها:

Soft Error; SRAM Hardened; Nano technology

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/404693/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
MORAD, LEILA و JAVIDAN, JAVAD و ZARE FATIN, GHOLAMREZA و MORAD, EHSAN,1394,A Novel Soft Error Hardened 14T SRAM Cell,کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر,تهران,,,https://civilica.com/doc/404693

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394, MORAD, LEILA؛ JAVAD JAVIDAN و GHOLAMREZA ZARE FATIN و EHSAN MORAD)
برای بار دوم به بعد: (1394, MORAD؛ JAVIDAN و ZARE FATIN و MORAD)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 10,948
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی