مدلسازی جریان زیرآستانه ای در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن در حضورحاملهای بار متحرک کانال
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 501
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_526
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله با در نظر گرفتن اثرات حاملهای متحرک ومعادله پتانسیل دوبعدی ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن کانال کوتاه رابطه ای تحلیلیی بیرای جریان زیر آستانه ای این نوع ترانزیستور براساس تقریب بولتزمن به دست آمده است. رابطه ی به دست آمده به پتانسیل شبه فرمی وابسته نمی باشد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
لیلا باقری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات یزد، دانشکده مهندسی، گروه برق- الکترونیک، یزد، ایران،
سیدامیر هاشمی
دانشگاه شهرکرد، گروه مهندسی برق، شهرکرد، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :