The Structural Properties of Dopped and Substituted of Silicon on Fulleren C20H10 , A Computational Study

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 599

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

TCPCO02_224

تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394

چکیده مقاله:

The substituted effects and doping silicon on fullerene C20H10 (bowl) in level of density theory B3LYP ⁄ 6-31G was investigated. The comparison of structures energy in substituted of C20H10Si (two fold dop 6 member) is more stable the other structures. The computed of electric field gradient (EFG) be evaluated on silicon atoms

نویسندگان

Farrokh Roya Nikmaram

Department of Chemistry, Faculty of Science, Yadegar - e- Imam Khomeini (RAH) Branch, Islamic Azad University, Tehran

Parisa Ahangari

Department of Chemistry, Faculty of Science, Yadegar - e- Imam Khomeini (RAH) Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran.