شبیه سازی با نرم افزار ISE-TCAD و طراحی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبودپارامتر DIBL
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,086
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_113
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است.ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL و اثر خودگرمایی می باشد.
کلیدواژه ها:
اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet - DIBL
نویسندگان
صمد قلندری
کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش احمدی
استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :