سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

شبیه سازی با نرم افزار ISE-TCAD و طراحی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبودپارامتر DIBL

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,109

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF02_113

تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394

چکیده مقاله شبیه سازی با نرم افزار ISE-TCAD و طراحی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبودپارامتر DIBL

در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است.ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL و اثر خودگرمایی می باشد.

کلیدواژه های شبیه سازی با نرم افزار ISE-TCAD و طراحی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبودپارامتر DIBL:

اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet - DIBL

نویسندگان مقاله شبیه سازی با نرم افزار ISE-TCAD و طراحی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبودپارامتر DIBL

صمد قلندری

کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

آرش احمدی

استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
Colinge, J.P. (2004) _ "Silicon _ Insulator Technology: Materials to ...
Kumar, M.J., Orouj i, A.A.(2005), _ Two -dimensional analytical threshold ...
Chaudhry, A. , Kumar, M .J.(2004), "Controlling short-channel effects in ...
M.Braccioli, G.Curatola, Y.Yang, E.Sangiorgi, C.iegna, "Simulation of self-heating effects in ...
C. F.-Beranger, S. Denorme, P. Perreau, C. Buj, O. Faynot, ...
A. Chaudhry and M. Jagadesh Kumar, "Controlling Short-Channl Effects in ...
J.P. colinge, "Silicon On Insulator technology: materials to VLSI, 3rd ...
User munual for ISE TCAD ...
H.Ghanatian, M.Fathipour and H.Talebi, "Nanoscale Ultra Thin Body-S ilicon- On-Insulator ...
T. Tsuchiya, Y. sato and m. Tomizawa, "Three Mechanisms Determining ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "شبیه سازی با نرم افزار ISE-TCAD و طراحی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبودپارامتر DIBL" توسط صمد قلندری، کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه؛ آرش احمدی، استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه نوشته شده و در سال 1393 پس از تایید کمیته علمی دومین همایش ملی پژوهش های کاربردی در برق، مکانیک و مکاترونیک پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet - DIBL هستند. این مقاله در تاریخ 22 مهر 1394 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1109 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است.ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL و اثر خودگرمایی می باشد. ... . برای دانلود فایل کامل مقاله شبیه سازی با نرم افزار ISE-TCAD و طراحی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبودپارامتر DIBL با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.