مدار مرجع ولتاژ Bandgap با ولتاژ کمتر از 0/5 ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS
محل انتشار: ششمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,411
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE06_322
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی مدار مرجع ولتاژ (Bandgap) در ولتاژ کمتر از یک ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS بررسی شده و در نهایت یک مدار مرجع ولتاژ با استفاده ترانزیستورهای CMOS و مقاومت برای ایجاد یک مرجع ولتاژ دقیق با حذف ترانزیستورهای دوقطبی ارائه شده است. طراحی جدید منجر به کاهش توان مصرفی و همچنین سطح تراشه اشغالی آن شده است. نحوه عملکرد مدار پیشنهادی بر اساس اختلاف دو جریان PTAT, CTAT می باشد که با استفاده از تفاوت ولتاژ آستانه MOS در تکنولوژی های نانومتر حاصل شده است. لذا از این خاصیت ترانزیستورهای MOS و همچنین بایاس در ناحیه وارونگی ضعیف بدست آمده است. همچنین در مدار پیشنهاد شده برای کاهش سطح تراشه از آپ امپ در مقیاس با کارهای قبلی استفاده نشده است. مدار ارائه شده در تکنولوژی 0/18 نانومتر CMOS پیاده سازی شده و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. تمام شبیه سازی ها با درنظر گرفتن تغییرات دمایی بین 40 تا 85 درجه سانتیگراد و نتایج آنها گزارش شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شهریار بابایی
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد آستانه اشرفیه، ایران
سیمین سلیمان منش
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد آستانه اشرفیه، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :