طراحی مدار نمونه بردار و نگهدار با توان مصرفی پایین و دقت بالا در تکنولوژی 32 نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

در این مقاله یک تکنیک جدید جهت تحقق مدار نمونه بردار و نگهدار تمام دیفرانسیلی با قابلیت نمونه برداری خط به خط در تکنولوژی 32 نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی ارائه گردیده است. مدار پیشنهادی قابلیت نمونه برداری با فرکانس نمونه برداری دو برابر فرکانس کلاک مدار و با سرعت بسیار بالا، توان مصرفی بسیار پایین و دقت بالا را در ولتاژ پایین دارا می باشد. طراحی تمام دیفرانسیلی، خطای ناشی از اغتشاشات و اثرات مد مشترک را کاهش داده و دقت نمونه برداری را به طور چشم گیری افزایش می دهد. عملکرد مدار در فرکانس های مختلف نمونه برداری با ولتاژ ورودی سینوسی و دامنه 0.9Vppd در نرم افزار HSPICE_vD-2010.03 شبه سازی و خروجی مدار مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفته است. این ارزیابی گویای عملکرد بسیار بهینه مدار است. مدار پیشنهادی در فرکانس نمونه برداری 8Ghz دارای اغتشاشات هارمونیک کل (THD) کمتر از -51.3dB، متناظر با دقت نمونه برداری بیش از 8bit برای ورودی سینوسی با فرکانس 1.015625GHz و دامنه 0.9Vppd در ولتاژ تغذیه 0.9V می باشد. زمان نگهداری (زمان رسیدن به پایداری خروجی) برابر 24ps در فرکانس نمونه برداری 5GHz است. بر این اساس زمان صحت سیگنال خروجی بیش از 80% زمان کلاک خواهد بود. توان مصرفی کل در فرکانس نمونه برداری 8GHz، برابر 672uw است.

کلیدواژه ها:

ADC ، MOSFET ، CNFET ، Sample and Hold circuit