طراحی یک تمام جمع کننده جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی

جمع کننده ها یکی از مهمترین اجزای پردازشی در سیستمهای کامپیوتری هستند. در واقع کارایی پردازنده ها بطور گسترده ای به سرعت و سطح مورد استفاده ی جمع کننده ها بستگی دارد. تمامی جمع کننده ها مبتنی بر یک واحد کلی تمام جمع کننده طراحی شده اند که سرعت و سطح مورد استفاده آنها با ساختار منطقی شان تغییر کرده است. در حالت کلی یک جمع کننده ممکن است دارای سطح کم باشد ولی سرعت مناسبی نداشته باشد و در واقع می بایست میان سرعت و سطح یک مصالحه ای صورت پذیرد. {1-6}.موضوعی که در حال حاضر به دنبال آن هستیم کوچک شدن اندازه و کاهش مصرف توان افزاره می باشد. لذا به مواد و ادوات جدید نیاز داریم تا جایگزین سیلیکن در ترانزیستورهای مقیاس نانو شود. یکی از این ادوات نو ترانزیستورهای اثرمیدانی کربن نانوتیوب می باشند که بسیاری از محدودیتهای ادوات سیلیکنی را ندارند که این براساس ساختار باند تک بعدی آنها است، که توزیع معکوس امواج رادیویی را خنثی کرده و امکان عملکرد نزدیک به کانال بالستیک را فراهم می کنند{1,3,4}.ارائه یک سلول تمام جمع کننده ی جدید می تواند عملکرد واحد محاسبات منطقی را افزایش دهد. در این مقاله، ما به تشریح طراحی یک سلول تمام جمع کننده با استفاده از ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی اثر میدانی پرداخته ایم. در این طراحی ما 10 ترانزیستور داریم و از این رو ما به یک بهبود در پارامترهای خروجی دست یافته ایم. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE مبتنی بر مدل CNTFET با ولتاژ 1.8V VDD اجرا گردید. نتایج به دست آمده از شبیه سازی، بیانگر بهبود قابل توجهی در زمینه هایی همچون توان، تاخیر و حاصلضرب توان در تاخیر نسبت به تمام جمع کننده CMOS می باشند

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربنی ، توان مصرفی ، تمام جمع کننده ، نانوتیوب کربن ، CNTFET