اثر نقص های استون-ولز و تهی جای بر رسانش نانو لوله های کربنی

در این مقاله به بررسی اثرات نقص های استون-ولز و تهی جای روی رسانش الکتریکی نانو لوله های تک دیواره کربنی پرداخته ایم. رسانش نانو لوله ها در فرمول بندی ترابرد همدوس با هامیلتونی بستگی قوی تک نواری و توابع گرین سطحی و محاسبه ماتریس های انتقال بروش تکرار صورت پذیرفته است. برای درنظر گرفتن اثرات مغناطیسی مربوط به نواقص تهی جای هامیلتونی کانال به کمک مدل میدان موثر هابارد به روش حل خود-سازگار محاسبه شده است. اثرات پراکندگی الکترون توسط این نواقص در کانال به دلیل تداخل امواج الکترونی عموماً سبب کاهش جریان های عبوری از کانال می شود و اثرات مغناطیسی در کانال نیز سبب جدایی کوچکی بین جریان های اسپینی می شود که این قطبیدگی با مغناطش ایجاد شده در کانال متناسب است.