اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,611

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

SCMI14_068

تاریخ نمایه سازی: 29 تیر 1386

چکیده مقاله:

در رشد لایه های نازک نیمه هادی و استفاده آنها در صنعت لیزرهای نیمه هادی بدلیل ناخوانا بودن ثابت شبکه های بلوری در لایه های رشد داده شده، تنش و کشش ایجاد می شود که خود باعث تغییر ساختار باندها و زیر باندهای انرزی در بلور نیمه هادی می گردد. برای محاسبه باندها وزیر باندها از اثر جهت شدگی اربیت – اربیت برای زیر باندهای حفره – سنگین (HH) و حفره – سبک (LH) ظرفیت صرفنظر نکرده ایم، اما از جفت شدگی اسپین – اربیت دوزیر باند ذکرشده با زیر باند شکافتی در K=0 چشم پوشی کرده ایم؛ زیرا انرژی شکافتی بین این با ند و باندهای ذکر در حدی است که در فرایندهایی مانند بهره در لیزرهای نیمه هادی شرکت نمی کند و یا نقش بسیار کوچکی دارد.

نویسندگان

آوازه هاشملو

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

مهدی اسکویی

دانشگاه صنعتی شریف

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • : Y ablanv itch, E., and Kane, E.O. , 1986, ...
  • : Chuang, S .L, and Chao, C.Y ., 1991, ' ...
  • : Zory, Jr., and Peter, S., 1 993, }Quantum Well ...
  • : Kittel, c., _ 983 , *Introduction To Solid State ...
  • : Kane, E.O., 1 95 6 , J.Phys.Chem .Solids, 1, ...
  • : Luttinger, J .M., and Kohn, W., 1 95 5 ...
  • : Chuang, S .L., and Chang, C.S, 1 995, 'modeling ...
  • : Nye, J.F., 1 985, 'physics properties of c ry ...
  • : Ohtosh i, T., and Niwa, A.., 1 995 , ...
  • : Van De Valle, C.G., 1 988, 'band lineups and ...
  • : Haug, A., 1987, ?relation between the T0 values of ...
  • نمایش کامل مراجع