اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs

در رشد لایه های نازک نیمه هادی و استفاده آنها در صنعت لیزرهای نیمه هادی بدلیل ناخوانا بودن ثابت شبکه های بلوری در لایه های رشد داده شده، تنش و کشش ایجاد می شود که خود باعث تغییر ساختار باندها و زیر باندهای انرزی در بلور نیمه هادی می گردد. برای محاسبه باندها وزیر باندها از اثر جهت شدگی اربیت – اربیت برای زیر باندهای حفره – سنگین (HH) و حفره – سبک (LH) ظرفیت صرفنظر نکرده ایم، اما از جفت شدگی اسپین – اربیت دوزیر باند ذکرشده با زیر باند شکافتی در K=0 چشم پوشی کرده ایم؛ زیرا انرژی شکافتی بین این با ند و باندهای ذکر در حدی است که در فرایندهایی مانند بهره در لیزرهای نیمه هادی شرکت نمی کند و یا نقش بسیار کوچکی دارد.