طراحی جدیدی از مدار اکثریت بسیار سریع با استفاده از ترانزیستورهای CNTFET
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای فناوری اطلاعات برق پالایش
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,289
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PUAST01_102
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
چکیده مقاله:
با رشد روز افزون تکنولوژی نانو و ورود آن به عرصه طراحی سوئیچ های الکترونیکی، تحول مهمی در زمینه طراحی مدارهای پر تراکم به وجود آمد. این تحول با ظهور ترانزیستورهای اثر میدان کربن نانو لوله CNTFET آغاز گردید و باعث شد تا این ترانزیستورها به خاطر خواص منحصر به فردی که از خود نشان می دهند به عنوان جایگزینی امید بخش برای ترانزیستورهای سیلیکونی مورد توجه پژوهشگران و طراحان مدارهای کامپیوتری قرار گیرند. گیت اکثریت یکی از مهمترین گیت هایی هستند که در طراحی گیت های تمام جمع کننده استفاده می شوند. لذا ما در این مقاله یک مدار اکثریت با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله که از تعداد کمی ترانزیستور طراحی شده است ارائه داده ایم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیر شادمان پور
گروه مهندسی کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران
مجید طاهری
گروه مهندسی برق -مخابرات دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات فارس
شیرین خلیلی
گروه مهندسی کامپیوتر مرکز علمی کا ربردی گچساران
سهیلا رستمیان
گروه مهندسی کامپیوتر مرکز علمی کا ربردی گچساران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :