امیر شادمان پور - گروه مهندسی کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران
مجید طاهری - گروه مهندسی برق -مخابرات دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات فارس
شیرین خلیلی - گروه مهندسی کامپیوتر مرکز علمی کا ربردی گچساران
سهیلا رستمیان - گروه مهندسی کامپیوتر مرکز علمی کا ربردی گچساران

با رشد روز افزون تکنولوژی نانو و ورود آن به عرصه طراحی سوئیچ های الکترونیکی، تحول مهمی در زمینه طراحی مدارهای پر تراکم به وجود آمد. این تحول با ظهور ترانزیستورهای اثر میدان کربن نانو لوله CNTFET آغاز گردید و باعث شد تا این ترانزیستورها به خاطر خواص منحصر به فردی که از خود نشان می دهند به عنوان جایگزینی امید بخش برای ترانزیستورهای سیلیکونی مورد توجه پژوهشگران و طراحان مدارهای کامپیوتری قرار گیرند. گیت اکثریت یکی از مهمترین گیت هایی هستند که در طراحی گیت های تمام جمع کننده استفاده می شوند. لذا ما در این مقاله یک مدار اکثریت با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله که از تعداد کمی ترانزیستور طراحی شده است ارائه داده ایم.

گیت اکثریت ، کربن نانو لوله CMOS ، CNTFET، HSPICE