ساخت، مشخصه یابی ساختاری و خواص تابش میدانی نانوسیم های InSb به روش نانو قالب گیری مکانیکی-گرمایی (TMNM)

نانوسیم های InSb به روش نانو قالب گیری مکانیکی-گرمایی (TMNM) در فشار ۴۰۰ مگاپاسکال و دمای ۴۵۰ درجه سانتی گراد، به مدت ۱ ساعت با استفاده از قالب آلومینیوم اکسید آندایز شده (AAO) با قطر اسمی حفرات ۱۱۰ نانومتر ساخته شدند. تصاویر SEM نسبت طول به قطر تا حدود ۲۰ را برای نانوسیم ها نشان دادند. طیف سنجی EDS ترکیب شیمیایی اصلی InSb را تایید کرد. آنالیز XRD ساختار بلوری زینک بلند را با پیک غالب صفحه (۱۱۱) و ثابت شبکه ۶.۴۸ آنگستروم نشان داد. تنها یک پیک ضعیف مربوط به مقدار بسیار کم فاز سطحی Sb۲O۳ مشاهده شد. خواص تابش میدانی نانوسیم های عمودی InSb در قالب AAO در خلا ۵×۱۰-۸ Torr و فاصله ۴۰۰ میکرومتر بین آند و کاتد بررسی شد. این نانوسیم ها میدان روشن شدن ۰.۴۹۷ V/μm، چگالی جریان ۱.۴×۱۰^(-۵) A/cm^۲ و پارامتر تقویت میدان ۷۵۲ را نشان دادند.

کلیدواژه ها:

نانوسیم های InSb ، نانو قالب گیری مکانیکی-گرمایی (TMNM) ، تابش میدانی