مطالعه رفتار خمشی کامپوزیتهای پایه SiC تولیدشده به روش پرس گرم خوراک سرامیکی و تف جوشی شده در دمای ۱۶۵۰°C

باوجود مزایای فراوان کاربید سیلیسیم استفاده از آن با چالش هایی همچون ضرورت تف جوشی در دمای بالا (۲۰۰۰°C) و اتمسفر کنترل شده همراه است. در این پژوهش سه نوع کامپوزیت بر پایه کاربید سیلیسیم شامل S (کاربید سیلیسیم خالص)، S-A (کاربید سیلیسیم و آلومینا) و S-A-Y (کاربید سیلیسیم، آلومینا و زیرکونیای پایدار شده با ایتریا) به روش پرس گرم خوراک سرامیکی (پودر سرامیکی) و سیستم چسب ساخته شده و پس از چسب زدایی تف جوشی نمونه ها در اتمسفر محیط و دمای ۱۶۵۰°C انجام گرفت. رفتار مکانیکی نمونه ها با استفاده از آزمون های سختی سنجی و خمش سه نقطه مورد بررسی قرار گرفته و در ادامه سطوح شکست آنها توسط SEM و EDS ارزیابی شد. نتایج نشان داد که کامپوزیت S-A-Y، بدلیل تسهیل فرایند تف جوشی دارای بالاترین سختی (۶/۴۵) بیشتر از نمونه خالص و بهینه رفتار خمشی می باشد به گونه ای که استحکام خمشی و مدول خمشی آن به ترتیب ۳۳/۳ و ۲۳/۶ برابر نمونه S بوده که همراه با کاهش ضخامت لایه متخلخل در سطح شکست است.

کلیدواژه ها:

کامپوزیت پایه SiC ، خوراک سرامیکی ، پرس گرم ، تف جوشی ، آزمون خمش