بهینه سازی ابعادی روکش تک پاس سوپرآلیاژ ۴-CMSX با روش سطح پاسخ سه سطحی در فرایند رسوب نشانی مستقیم لیزری

سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 55

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IMES19_100

تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1405

چکیده مقاله:

در این پژوهش به منظور بهینه سازی ابعادی روکش تک پاس سوپرآلیاژ ۴-CMSX بر زیرلایه هم جنس از روش طراحی سطح پاسخ سه سطحی (Response Surface Design - BBD) بر پایه سه پارامتر توان لیزر (۳۰۰ تا ۷۲۵ وات)، سرعت حرکت (۶ تا ۱۸ میلی متر بر ثانیه) و نرخ تغذیه پودر (۱۵۰ تا ۴۵۰ میلی گرم بر ثانیه) استفاده شد. نتایج نشان داد؛ افزایش توان و کاهش سرعت موجب گسترش عرض حوضچه تا ۱۷۸۶ میکرومتر و افزایش زاویه ترشوندگی در توان های بالا می شود. بیشترین ارتفاع (۷۷۰ میکرومتر) در توان ۶۵۰ وات و تغذیه پایین مشاهده شد در حالی که بیشترین عمق نفوذ (۳۸۱ میکرومتر) در توان ۳۵۰ وات و سرعت زیاد رخ داد. درصد رقیق سازی در توان متوسط و تغذیه زیاد به حدود ۵۱ درصد رسید. تحلیل آماری مدل نشان داد عرض و ارتفاع به توان و سرعت وابستگی شدید دارند و نرخ پودر کنترل کننده اصلی رقیق سازی است. شرایط بهینه هندسی پاس در محدوده توان ۶۵۵-۷۰۰ وات، سرعت ۱۲-۸ میلی متر بر ثانیه و نرخ پودر ۳۰۰-۴۰۰ میلی گرم بر ثانیه تعیین شد. در مجموع مدل به دست آمده توانست تغییرات ابعاد هندسی را با دقت بالا (ضریب تعیین بیش از ۰.۸۰) پیش بینی کند؛ این مسئله تطابق بالای داده های تجربی و محاسباتی را نشان داد.

نویسندگان

حامد نادری سامانی

دکتری دانشگاه صنعتی مالک اشتر مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت

امیر عباس برغمدی

دانشجوی کاردانی دانشگاه ملی مهارت دانشکده انقلاب اسلامی

فرید کرمانی

دانشجوی دکتری دانشگاه صنعتی مالک اشتر مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت

محمد گواهیان جهرمی

محقق دانشگاه صنعتی مالک اشتر مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت

صادق میرزا محمدی

استادیار دانشگاه ملی مهارت دانشکده انقلاب اسلامی

مرتضی ایلانلو

دانشجوی دکتری دانشگاه صنعتی مالک اشتر مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت