شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله

دراین مقاله یک ترانزیستور HEMT دو کاناله بر اساسGaN با استفاده از مدل موازنه انرژی شبیه سازی شده است. هدف از این کار بررسی تونل زدن حامل ها بین دو کانال ها بین دو کانال و اثر آن بر مشخصه ترانزیستور بوده است و نمودارهای ولتاژ جریان در حالت کوانتومی و همچنین درحالت بدون اثرات کوانتومی مقایسه شده اند. نمونه با اثر کوانتومی تغییرات شدیدی پتانسیل را نرم تر می کند و اثرات تونل زنی را وارد می کند. همچنین این ترانزیستور با نمونه مشابه ولی تک کاناله هم از نظر نمودار جریان ولتاژ و هدیات انتقالی مقایسه شده است. نشان داده شده که اضافه کردن کانال باعث بهبودی منحنی هدایت عبوری در جریان های زیاد می شود.

کلیدواژه ها:

(HEMT) ، ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا ، شبیه سازی ، ترانزیستور دو کاناله