طراحی مدار مرجع ولتاژ Bandgapبا ولتاژکمتر از یک ولت باPSRR بالا
محل انتشار: دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,412
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE02_125
تاریخ نمایه سازی: 29 بهمن 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی یک مدار جدید مرجع ولتاژBandgapبا استفاده ترانزیستورهایCMOSو مقاومت برای ایجاد یک مرجع ولتاژدقیق ارائه شده است.نحوه عملکرد مدار پیشنهادی بر این اساس است که از آینههای جریان کسکود با سوئینگ بالا و یک تقویت کننده عملیاتی با ولتاژ مد- مشترک ورودی مناسب در تحقق مداری آن بکارگرفته شده،لذا از این خاصیت و ترانزیستورهایMOSهمچنین بایاس آنها در ناحیه وارونگی ضعیف استفاده شده است این امر منجر به افزایشگین آپ-امپ ،کاهش حساسیت سیستم شده است که در نتیجهPSRR-72dBو توان مصرفی 200 میکرو وات بدست آمده است. مدارارائه شده در تکنولوژی 90 نانومترCMOSبانرمافزارHSPICEشبیهسازی شدهاست. تمام شبیهسازیها با در گرفتن تغییرات دمایی بین 40-تا 85 درجه سانتیگراد و نتایج آنها گزارش شده است
کلیدواژه ها:
مراجع ولتاژBandgap/مدارهای مجتمع آنالوگ ، تقویت کنندههای عملیاتی/MOSFET
نویسندگان
سیمین سلیمان منش
دانشگاه آزاد اسلامی،دانشکده فنی و مهندسی، گروه برق،قزوین، ایران
محمد یاوری
دانشگاه امیرکبیر(پلی تکنیک تهران)، دانشکده فنی ومهندسی، گروه برق، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :