سیمین سلیمان منش - دانشگاه آزاد اسلامی،دانشکده فنی و مهندسی، گروه برق،قزوین، ایران
محمد یاوری - دانشگاه امیرکبیر(پلی تکنیک تهران)، دانشکده فنی ومهندسی، گروه برق، تهران

در این مقاله طراحی یک مدار جدید مرجع ولتاژBandgapبا استفاده ترانزیستورهایCMOSو مقاومت برای ایجاد یک مرجع ولتاژدقیق ارائه شده است.نحوه عملکرد مدار پیشنهادی بر این اساس است که از آینههای جریان کسکود با سوئینگ بالا و یک تقویت کننده عملیاتی با ولتاژ مد- مشترک ورودی مناسب در تحقق مداری آن بکارگرفته شده،لذا از این خاصیت و ترانزیستورهایMOSهمچنین بایاس آنها در ناحیه وارونگی ضعیف استفاده شده است این امر منجر به افزایشگین آپ-امپ ،کاهش حساسیت سیستم شده است که در نتیجهPSRR-72dBو توان مصرفی 200 میکرو وات بدست آمده است. مدارارائه شده در تکنولوژی 90 نانومترCMOSبانرمافزارHSPICEشبیهسازی شدهاست. تمام شبیهسازیها با در گرفتن تغییرات دمایی بین 40-تا 85 درجه سانتیگراد و نتایج آنها گزارش شده است

مراجع ولتاژBandgap/مدارهای مجتمع آنالوگ، تقویت کنندههای عملیاتی/MOSFET