ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستوردوقطبی سیلیکون کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor

سال انتشار: 1392
کد COI مقاله: EOESD01_222
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 313
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 12 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستوردوقطبی سیلیکون کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor

پریسا بهرامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، گروه مهندسی برق و الکترونیک، یزد، ایران
محسن معصومی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، جهرم، ایران

چکیده مقاله:

این مقاله یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن را از طریق شبیه سازی نشان می دهد . راه حل سری فوریه بهمنظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی ( Ambipolar ) در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود . این مدل توسطMATLAB و Simulink تحقق می یابد . نتایج حاصل از شبیه سازی تغییرات شکل موج ها بدست خواهند آمد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور پیوند دوقطبی سیلیکون کاربید،مدلسازی نیمه هادی قدرت

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا EOESD01_222 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/252781/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
بهرامی، پریسا و معصومی، محسن،1392،مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستوردوقطبی سیلیکون کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor،همایش مهندسی برق و توسعه پایدار با محوریت دستاوردهای نوین در مهندسی برق،مشهد،https://civilica.com/doc/252781

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1392، بهرامی، پریسا؛ محسن معصومی)
برای بار دوم به بعد: (1392، بهرامی؛ معصومی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • W.J.Schaffer, G.H.Negley, K. G. Irvine, andJ. W.Palmour, :Con- ductivityani sotropy ...
  • Society, _ 994pp.5 95-600). ...
  • IEEEElectrow .DeviceLett. , vol.22, no.3, pp. 1 _ 9-120, Mar.200 ...
  • W. V. Muench and P Hoeck, "Silicon carbid bipolar transistor, ...
  • _ unctiontransi stors, 'IEEElectron. Lett. , vol.36, no. 17, pp. ...
  • S .Balachandran, C , Li, P.A. Losee, I.B .Bhat, andT. ...
  • re S i stanc ebe lowtheunipo larlimitusinga selectively grownb ase ...
  • S .H , Ryu, A. K.Agarwal, R. Singh, andJ. W.Palmour, ...
  • _ 0Vari ablemodellevl sforp _ ersemi conductord evices, inProc. 200 ...
  • H .Z. Fardi, _ _ Mo d e l ing ...
  • P.R.Palmer, E. Santi, J .L .Hudgins, X .Kang, .. C ...
  • _ _ ircuit S i mu l atormo de _ ...
  • X .Kang, ; _ C haracterizati onandmo de _ ingo ...
  • ndio de S withc arri erlifetime zoning: PartIDevice model, " ...
  • ac hopp erc e _ lus ingM AT LAB andsimulink, ...
  • The MathWorks, Inc. (1994-20 12).Online]. Available: http : //ww w.Mathworks ...
  • J.Sci. Comput..vol.1 8, no.1, pp.1- ...
  • _ _ _ ervat i ono fdeeptrap Sre sp ons ...
  • pp.986-993. , 2009 و SiCP iNdiodes, inProc. IEEEEnergy Convers. Congr.Expo. ...
  • Agarwal, _ M o de _ ingand simulationofas iC BJT, ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: 7,152
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی