تولید نانولولههای کربنی به روش قوس الکتریکی و بررسی اثر میدان مغناطیسی بر خلوص آنها

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,553

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOSC02_279

تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385

چکیده مقاله:

در این کار تحقیقاتی نانولولههای کربنی به روش قوس الکتریکی در حضور میدان مغناطیسی و عدم حضور میدان مغناطیسی در جریانهای مختلف 30-55) آمپر ) و همچنین اتمسفرهای آرگن و هلیم، در فشارهای 0/7 ، 1 و 1/3 اتمسفر تولید گردیدند . سپس اقدام به خالصسازی نانولولههای کربنی به روش اکسیداسیون حرارتی کردیم . نمونههای بدست آمده توسط میکروسکوپهای الکترونی SEM وTEM مورد مطالعه قرار گرفتند . تصاویر بدست آمده نشان داد که نانولولههای کربنی تولید شده x و همچنین توسط دستگاه پراش اشعه در حضور میدان مغناطیسی نسبت به نانولولههای کربنی تولید شده در غیاب میدان مغناطیسی با خلوص بسیار بالاتر، منظمتر و موازیتر میباشد

نویسندگان

محمدمهدی حسنی متین

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز

منصور فربد

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز

ایرج کاظمی نژاد

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S.Iijimna , Nature _ 354(1991) 56 ...
  • S.Iijimna , T. Ichihashi , Nature 363 (1993) 603 ...
  • Takematsu, M i n a _ iashigara-shi, Kanagaw aken, Applid ...
  • T. Pichler, X. Liu, M. Kupfer, Chem. Phys. Lett. 363 ...
  • نمایش کامل مراجع