ساخت نانو سیم های ژرمانیم به روش نشست بخار شیمیایی (CVD)

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 4,070

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOSC02_265

تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385

چکیده مقاله:

در این تحقیق نانو سیمهای ژرمانیم در بازه دمایی بین 250 تا 350 درجه سلسیوس با روش نشست بخار شیمیایی رشد داده میشود. نانو ذرات طلا به عنوان کاتالیست با استفاده از ماده 3- آمینوپروپیل تری اتیل سیلان (APTES) روی سطح ویفر نشانده می شوند. تتراکلرید ژرمانیم (GeCl4) به عنوان منبع تامین ژرمانیم و گاز آرگون با فلوی sccm 180 به عنوان گاز حامل مورد استفاده قرار گرفته است. همچنین نقش سایر کاتالیست وزمان رشد به عنوان عوامل موثر دررشد نانو سیم ها و اثر دما برای بدست آوردن دمای بهینه جهت رشد سیمهای ژرمانیم مورد بررسی قرار گرفته است. در نهایت تصاویر میکروسکوپ الکترونی (SEM) گرفته شده از نمونه هایی که در شرایط متفاوت رشد داده شده اند نشان دهنده تاثیر سایز کاتالیست و زمان بر رشد طولی و قطر نانو سیم هاست. طیف پراش پرتو ایکس (XRD) نشان دهنده رشد کریستالهای نانو سیمهای ژرمانیم می باشد.

نویسندگان

بهرام گنجی پور

پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، ایران

مصطفی زاهدی فر

پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، ایران

فاطمه حسین مردی

پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J. R. Heath, F. K. LeGoues, Chem. Phys. Lett. 1993, ...
  • Y. Wu, P. Yang, Chem. Mater. 2000, 12, 605. ...
  • G.Gu, M. Burghard, G. T.Kim, S. Dusberg, P. W. Chiu, ...
  • J. Appl. Phys. 2001, 90, 5747. ...
  • T. Hanrath, B. K. Korgel, J. AM. Chem. Soc. 2001, ...
  • D. Wang, H. Dai, Angew. Chem. 2002, 114, 4977; D. ...
  • D. W. Wang, Q. Wang, A. Javey, R.Tu, H. J. ...
  • T. Kri shnamohan, K. C. Sarawat, Appl. Phys. Lett. 2003, ...
  • D. Wang, Y. L. Chang, Q. Wang, J. Cao, D. ...
  • A. B. Greytak, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, C. ...
  • J. W. Dailey, J. Taraci, T. Clement, D. J. Smith, ...
  • S. M. Sze, Physics of ...
  • S emiconductor Devices, Wiley, New York, 1981. ...
  • T. I. Kamins, X. Li, R. S. Williams, Nano Lett. ...
  • T. Martensson, P. Carlberg, M. Borgstorm, L. Montelius, W. Seitert, ...
  • نمایش کامل مراجع