فاصله مقاومت و اندیس کیرشهف نانوساختارها

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,951

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOSC02_054

تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385

چکیده مقاله:

با فرض برقراری جریان الکتریکی در گراف مولکولی یک نانو مخروط کربنی، هر پیوند (یال) به عنوان سیمی بامقاومت الکتریکی واحد در نظر گرفته شده بر این اساس مقاومت الکتیکی موثر بی هر دو اتم (راس) کربن از گراف مولکولی، بر اساس روابط موجود در نظریه گراف به دست می آید. اندیس کیرشهف که به صورت [فرمول در متن اصلی ] بر حسب فاصله مقاومت r ij تعریف می شود. به وسیله روابط موجود در نظریه شبکه های الکتریکی محاسبه می شود. هدف اصلی این سمینار محاسبه این اندیس برای نانو مخروط CNC[n] و فولرن ها است.

نویسندگان

فرزانه غلامی نژاد

دانشگاه کاشان بخش ریاضی دانشکده علوم

علی رضا اشرفی

دانشگاه کاشان بخش ریاضی دانشکده علوم

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • B.Bapat, I.Gutman, W.Xiao; A simple Method for Computing Resistance Distance, ...
  • Z. Naturfosch. 58a, 494-498 (2003). ...
  • H.Chen, F.Zhang, Resistance Distance ard Normalized ...
  • Laplacian Spectrum, Discrete Applied Mthermatics 155, 654 - 661 (2007). ...
  • P.W. Fowler, Resistance Distance in Fullererne Graphs, ...
  • Croat. Chem. Acta 75 (2), 4u1-408 (2002). ...
  • B. Bollobas, Modern Geraph Theory, Springer- verlag, New York 1998», ...
  • نمایش کامل مراجع