تاثیر ضخامت لایه نقص پلیمری بر بلور فوتونی گرافنی تنظیم پذیر یک بعدی

در این کار، با استفاده از ماتریس انتقال، خواص نوری ساختار بلور فوتونی تنظیم پذیر یک بعدی [(GABAGB)N۱]P[(BGABAG)N۲] بررسی شده است. ساختار پیشنهادی با قرار دادن پلیمر پلی استایرن به عنوان مد نقص در وسط ساختار متشکل از لایه های متناوب منیزیم فلورید و دی اکسید سیلیسیم با چیدمانی خاص از لایه های گرافن در بین لایه های دیگر معرفی شده است. تاثیر ضخامت پلیمر پلی استایرن، پتانسیل شیمیایی گرافن و زاویه موج قطبیده TE و TM بر تنظیم پذیری مکان مد نقص و نوار گاف فوتونی برای بلور فوتونی پیشنهادی بررسی شده است. با توجه به نتایج، مقدار پتانسیل شیمیایی گرافن بر تعداد نوار گاف فوتونی در محدوده فرکانسی تراهرتز تاثیرگذار است. علوه بر این، با افزایش ضخامت پلیمر، مکان مد نقص به سمت فرکانس های کمتر جابجا می شود؛ با افزایش پتانسیل شیمیایی گرافن و زاویه موج فرودی مکان مد نقص به سمت فرکانس های بیشتر حرکت می کند. ساختار پیشنهادی می تواند به عنوان فیلتر بازتابی تنظیم پذیر در محدوده فرکانسی تراهرتز مورد استفاده قرار گیرد.

کلیدواژه ها:

بلور فوتونی گرافنی یک بعدی ، فیلتر بازتابی تنظیم پذیر ، ضخامت پلیمر ، تراهرتز