سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی فرآیند نفوذ به منظور ساخت آشکارسازهای آرایه ای فتودیودی مبتنی بر InSb

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 968

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE03_025

تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392

چکیده مقاله بررسی فرآیند نفوذ به منظور ساخت آشکارسازهای آرایه ای فتودیودی مبتنی بر InSb

در این تحقیق، نتایج بدست آمده فرآیند نفوذ کادمیوم در نیمه هادی n-InSb به منظور ساخت آرایه فتودیودی مادون قرمز و بررسی تأثیر فاصله بین پیکسل ها بر جریان تاریکی و هم شنوایی مابین پیکسل ها مورد مطالعه قرار گرفته است. آرایه فتودیودی به روش نفوذ در دمای 400 درجه سانتیگراد به مدت 6/5 ساعت، و در دمای 440 درجه سانتیگراد به مدت 7 ساعت و 480 درجه سانتیگراد به مدت 9 ساعت به دست آمده است شبیه سازی و مقایسه شده است. نتایج شبیه سازی حاکی از آن است این نوع دیودها تحت شرایط فوق الاشاره به ترتیب دارای جریان تاریکی 0/1156 فمتوآمپر بر میکرومتر، 6/727 فمتوآمپر بر میکرومتر و 7/007 فمتوآمپر بر میکرومتر در بایاس معکوس 50 میلی ولت می باشد.

کلیدواژه های بررسی فرآیند نفوذ به منظور ساخت آشکارسازهای آرایه ای فتودیودی مبتنی بر InSb:

آشکارساز مادون قرمز آرایه ای ، ایندیوم آنتیموناید ، جریان تاریکی ، نفوذ ، هم شنوایی

نویسندگان مقاله بررسی فرآیند نفوذ به منظور ساخت آشکارسازهای آرایه ای فتودیودی مبتنی بر InSb

هوشمند قصری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره

مرتضی فتحی پور

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
Diffusion of Anomalousه [4] S.L. Tu, K.F.Huang and S.j. Yang, ...
A.Rogalski, "Infrared Detectors" , GB Publishers , Chapter1 2, (2000) ...
A. Rogalski and M. Razeghi, "Narrow gap semiconductor photodiodes" , ...
A. Rogalski , : _ Third generation infrared detectors" , ...
_ _ _ Wiley & Sons Ltd , Chapter I, ...
InSb high-speed "ه [6] B. Kimukin, N.Biyikli and E. Ozbay, ...
M. Razeghi, _ Optoelectronic Devices Based on III-V Compound Semiconductos ...
_ _ _ _ _ Barbara Research Center , (1981) ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی فرآیند نفوذ به منظور ساخت آشکارسازهای آرایه ای فتودیودی مبتنی بر InSb" توسط هوشمند قصری، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره؛ مرتضی فتحی پور، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله آشکارساز مادون قرمز آرایه ای،ایندیوم آنتیموناید،جریان تاریکی،نفوذ،هم شنوایی هستند. این مقاله در تاریخ 28 آذر 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 968 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این تحقیق، نتایج بدست آمده فرآیند نفوذ کادمیوم در نیمه هادی n-InSb به منظور ساخت آرایه فتودیودی مادون قرمز و بررسی تأثیر فاصله بین پیکسل ها بر جریان تاریکی و هم شنوایی مابین پیکسل ها مورد مطالعه قرار گرفته است. آرایه فتودیودی به روش نفوذ در دمای 400 درجه سانتیگراد به مدت 6/5 ساعت، و در دمای 440 درجه ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی فرآیند نفوذ به منظور ساخت آشکارسازهای آرایه ای فتودیودی مبتنی بر InSb با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.