بررسی فرآیند نفوذ به منظور ساخت آشکارسازهای آرایه ای فتودیودی مبتنی بر InSb
محل انتشار: سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 865
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE03_025
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
در این تحقیق، نتایج بدست آمده فرآیند نفوذ کادمیوم در نیمه هادی n-InSb به منظور ساخت آرایه فتودیودی مادون قرمز و بررسی تأثیر فاصله بین پیکسل ها بر جریان تاریکی و هم شنوایی مابین پیکسل ها مورد مطالعه قرار گرفته است. آرایه فتودیودی به روش نفوذ در دمای 400 درجه سانتیگراد به مدت 6/5 ساعت، و در دمای 440 درجه سانتیگراد به مدت 7 ساعت و 480 درجه سانتیگراد به مدت 9 ساعت به دست آمده است شبیه سازی و مقایسه شده است. نتایج شبیه سازی حاکی از آن است این نوع دیودها تحت شرایط فوق الاشاره به ترتیب دارای جریان تاریکی 0/1156 فمتوآمپر بر میکرومتر، 6/727 فمتوآمپر بر میکرومتر و 7/007 فمتوآمپر بر میکرومتر در بایاس معکوس 50 میلی ولت می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هوشمند قصری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره
مرتضی فتحی پور
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :