استفاده از یک نانولایه برای افزایش دمای عملکرد سنسورهای مادون قرمز InSb

دراین مقاله روشی برای افزایش دمای عملکرد سنسور مادون قرمز InSb بیان شده است سنسورمادون قرمز فوتو - ولتائیک (InSb PVS) InSb ساختاری از یک دیود InSb p+ - p - +n می باشد که روی زیرلایه GaAs100 رشد داده شده به همراه یک لایه سد نانومقیاس In1-xAlxSb مابین لایه های +p, p- که از نفوذ الکترونهای برانگیخته نوری جلوگیری می کند برای افزایش نسبت سیگنال بهنویز اتصال سری تعداد زیادی دیود نوری InSb برروی زیرلایه انجام شدهاست ضمنا با توجه به اینکه اشکار ساز درحالت فوتوولتائیک کار می کند به عایق سازی حرارتی نیازی نخواهد بود و در نتیجه عمل کوچک سازی نیز راحت تر انجام می گیرد.

کلیدواژه ها:

سنسور مادون قرمز ، InSb ، نانولایه ، دمای اتاق ، خنک کننده