گیت AND تمام نوری اتصال Y با استفاده از بلورهای فوتونی بر روی زیر لایه InP
محل انتشار: سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 864
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE03_010
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک گیت AND تمام نوری با استفاده از بلورهای فوتونی و ساختار نقص خطی اتصال Y در شبکه مربعی میله ای بر روی زیر لایه InP طراحی شده است. ساختار لایه هر میله (InP/InGaAsP/InP) به گونه ای است که این افزاره قابلیت مجتمع سازی با ادوات فعال (لیزر و آشکارساز) و غیر فعال نوری را در طول موج 1.55μm دارد. در ابتدا با روش بسط امواج صفحه ای (PWM) ، مقادیر ثابت شبکه و شعاع بهینه به ترتیب برابر با 600nm و 114nm دست آمده است. سپس با استفاده از روش تفاضل متناهی در زمان (FDTD) گیت AND طراحی و عملکرد آن تحلیل شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدرضا فلاح
تهران، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، گروه مهندسی الکترونیک
مهدی الهام نیا
اراک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، گروه الکترونیک
محمود نیکوفرد
کاشان، دانشگاه کاشان، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، گروه الکترونیک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :