تولید گارنت (Bi0.75Ca1.2Y1.05)(V0.6Fe4.4)O12 با دمای تفجوشی پایین

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,935

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICC06_075

تاریخ نمایه سازی: 11 دی 1385

چکیده مقاله:

در این کار پژوهشی تأثیر اضافه کردن اکسید های CaO ، V2O5 و Bi2O3 به YIG)Y3Fe5O12) مورد بررسی قرار گرفته است . انجام عمل مذکور منجر به تشکیل گارنتی با فرمول (Bi0.75Ca1.2Y1.05)(V0.6Fe4.4)O12 می شود . نمونه های گارنت جدید (Bi-CVG )و نمونه های YIG هر دو با استفاده از روش اختلاط پودرهای اکسیدی تهیه شدند . کلسیناسیون نمونه های YIG در دمای 1300 °Cبمدت زمان3 ساعت ونمونه های Bi-CVGدر دمای 925 °C ساعت انجام پذیرف ت 3 بمدت زمان پس از کلسیناسیون، تفجوشی نمونه های YIG در دماهای بین 1400 تا 1500 °C ونمونه های Bi-CVG در دماهای بین 1100 تا 1250 °C بمدت زمان 6 ساعت جهت بهینه کردن چگالی و خواص مغناطیسی نمونه ها انجام گرفت . خواص مغناطیسی نمونه های تفجوشی شده توسط یک دستگاه هیسترزیس گراف و ریز ساختار آنها توسط یک میکروسکوپ الکترونی روبشی ( SEM ) مورد بررسی قرار گرفتند . دمای تفجوشی بهینه نمونه هایBi-CVG و YIGبه ترتیب حدود C 1175 °C ~ و 1450 °تعیین گردید . مغناطش اشباع، پسماند مغناطیسی و نیروی پسماند زدایی نمونه های Bi-CVG ~ در مقایسه بانمونه های YIG مقادیر بسیار مطلوبتری را جهت استفاده در کاربرد های میکروویو نشان دادند .

کلیدواژه ها:

نویسندگان

رضا ارغوانیان

دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی سهند

صمد ذاکری فر

دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه شیراز

مهران شیخ الاسلامی

دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه علم وصنعت ایران

عباس کیان وش

گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • G. R. Harrison, L. R. Hodges Jr., "Physics of Electronics ...
  • R. J. Young, T.B. Wu, I.N. Lin, "Densification and microstructure ...
  • A. M. Abo Ata, N.A. Sharaf, M.A. Ahmed, B.M. Shalaby, ...
  • C. Y. Tsay _ C.Y. Liu , K.S. Liu , ...
  • Y. Y. Song, S.C. Yu, W.T. Kim, J.R. Park, T.H. ...
  • A. Kianvash, R. Arghavanian, S. Zakerifar, M. S heykholeslami, "The ...
  • نمایش کامل مراجع